3D-Transistoren versprechen 50-GHz-Prozessoren

Japanisches F&E-Unternehmen Unisantis behauptet, dass ihre neue Transistor mit umliegendem Gate Technologie werden Prozessortaktfrequenzen von 50 GHz erreicht.

Das japanische Unternehmen geht ein 24-monatiges Kooperationsabkommen mit dem Institute of Microelectronics in Singapur ein, um gleichzeitig an der Entwicklung zu arbeiten.

Durch die Verwendung eines 3D-Struktur die Bauteile vertikal anordnet, glaubt Unisantis, dass sie Taktraten zwischen 20 GHz und 50 GHz erreichen können. Bei der derzeitigen Technologie werden die Transistoren in einer horizontalen 2D-Ebene angeordnet

Der Entwurf wird von Fujio Masuoka, dem CTO von Unisantis, geleitet, dem die Erfindung des Flash-Speichers zugeschrieben wird. Neben Masuoka werden etwa 30 Akademiker, Ingenieure und Wissenschaftler an dem Projekt arbeiten.

Laut Masuoko besteht SGT aus einer vertikalen Silizium-Säule, die von Speicherzellen, elektrischen Kontakten und verschiedenen anderen, nicht näher bezeichneten Komponenten umgeben ist. Die 3-D-Struktur soll den Weg, den die Elektronen zurücklegen, verkürzen, weniger Wärme erzeugen und in der Herstellung kostengünstiger sein als bestehende Chips.

"Das SGT ermöglicht auch weitere Verbesserungen bei Silizium-Halbleitern in Bezug auf Transistorgröße und Verarbeitungsgeschwindigkeit, und zwar noch mindestens 30 Jahre lang, bevor die theoretischen Grenzen erreicht sind. Solche Verbesserungen sind notwendig, damit die IC-Chips der neuen Generation die Rechenleistung erbringen können, die von IT-Produkten und Computernetzwerken mit immer größerer Funktionalität und Komplexität verlangt wird". sagte Masuoka.